各投標(biāo)
11) *顆粒控制<20 @0.5um
12) *Wafer材質(zhì)兼容Si，EMC，bonding等
13) *Boat可旋轉(zhuǎn)
14) *設(shè)備在先進(jìn)封裝領(lǐng)域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封裝）具有量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，裝機(jī)量≥2臺
15) 具備快速降溫能力”
修改為：
三、設(shè)備技術(shù)指標(biāo)
PI Curing爐要求能夠達(dá)到如下性能指標(biāo)：
1）*適用200mm notch晶圓工藝，可cover晶圓厚度400~2000um
2）*支持wafer翹曲度≤±3mm
3）*溫度控制精度：±1℃（150℃~600℃）
4）*Process chamber含氧量控制：≤10ppm
5）*需配備Gas管路: O2，N2
6）*Batch size ≥75片
7）*MTBF大于250小時，uptime ≥90%
8）*Wafer Breakage Rate≤1/10000pcs
9) *Wafer材質(zhì)兼容Si，EMC，bonding等。
10) *顆粒控制<20 @0.5um
11) *Wafer材質(zhì)兼容Si，EMC，bonding等
12) *設(shè)備在先進(jìn)封裝領(lǐng)域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封裝）具有量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，裝機(jī)量≥2臺
13) 具備快速降溫能力
3、
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